Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IMC1008ER8N2J von Vishay Dale. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 nH, Nennstrom 1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 60mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IMC1008ER8N2J.
IMC1008ER8N2J hat eine Induktivität von 8.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
IMC1008ER8N2J ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
IMC1008ER8N2J hat einen DC-Widerstand von 60mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
IMC1008ER8N2J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 60mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | Vishay Dale |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2NH 1A 60 MOHM SMD |
| Serie | IMC-1008 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 50 @ 1GHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 5.5GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 (2520 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.075" (1.90mm) |
