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IMC1812ES101J

IMC1812ES101J

Vishay Dale

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 100UH 110MA 8 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
100 µH
Nennstrom
110 mA
DC-Widerstand (DCR)
8Ohm Max
Abmessungen
0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IMC1812ES101J.

Induktivität
100 µH

IMC1812ES101J hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
110 mA

IMC1812ES101J ist für 110 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
8Ohm Max

IMC1812ES101J hat einen DC-Widerstand von 8Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

IMC1812ES101J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität100 µH
Toleranz±5%
Nennstrom110 mA
DC-Widerstand (DCR)8Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 100UH 110MA 8 OHM SMD
SerieIMC-1812
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialIron Powder
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz40 @ 790kHz
Eigenresonanzfrequenz8MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz790 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.134" (3.40mm)
Merkmale-

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