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ISC1210SY101J

ISC1210SY101J

Vishay Dale

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 100UH 80MA 12 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
100 µH
Nennstrom
80 mA
DC-Widerstand (DCR)
12Ohm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ISC1210SY101J.

Induktivität
100 µH

ISC1210SY101J hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
80 mA

ISC1210SY101J ist für 80 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
12Ohm Max

ISC1210SY101J hat einen DC-Widerstand von 12Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

ISC1210SY101J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität100 µH
Toleranz±5%
Nennstrom80 mA
DC-Widerstand (DCR)12Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 100UH 80MA 12 OHM SMD
SerieISC-1210
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialIron Powder
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz30 @ 796kHz
Eigenresonanzfrequenz6MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz796 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.095" (2.41mm)
Merkmale-

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