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ISC1210SY220J

ISC1210SY220J

Vishay Dale

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 22UH 150MA 3.1 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
150 mA
DC-Widerstand (DCR)
3.1Ohm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ISC1210SY220J.

Induktivität
22 µH

ISC1210SY220J hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
150 mA

ISC1210SY220J ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.1Ohm Max

ISC1210SY220J hat einen DC-Widerstand von 3.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

ISC1210SY220J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±5%
Nennstrom150 mA
DC-Widerstand (DCR)3.1Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 22UH 150MA 3.1 OHM SMD
SerieISC-1210
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialIron Powder
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz30 @ 2.52MHz
Eigenresonanzfrequenz16MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.095" (2.41mm)
Merkmale-

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