Beschreibung
FIXED IND 82UH 85MA 11 OHM SMD
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ISC1210SY820J.
ISC1210SY820J hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
ISC1210SY820J ist für 85 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
ISC1210SY820J hat einen DC-Widerstand von 11Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
ISC1210SY820J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 85 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 11Ohm Max |
| Sättigungsstrom | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | Vishay Dale |
| Beschreibung | FIXED IND 82UH 85MA 11 OHM SMD |
| Serie | ISC-1210 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 2.52MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 11MHz |
| Zulassungen / Bewertungen | - |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.52 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
| Merkmale | - |
