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IWC0402AR10R-3G

IWC0402AR10R-3G

Laird

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 100NH 30MA 2 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
100 nH
Nennstrom
30 mA
DC-Widerstand (DCR)
2Ohm Max
Abmessungen
0.047 L x 0.028 W (1.19mm x 0.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IWC0402AR10R-3G.

Induktivität
100 nH

IWC0402AR10R-3G hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
30 mA

IWC0402AR10R-3G ist für 30 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2Ohm Max

IWC0402AR10R-3G hat einen DC-Widerstand von 2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

IWC0402AR10R-3G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität100 nH
Toleranz±2%
Nennstrom30 mA
DC-Widerstand (DCR)2Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.047 L x 0.028 W (1.19mm x 0.70mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 100NH 30MA 2 OHM SMD
SerieIWC0402
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz1.16GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse402
Höhe - sitzend (max.)0.026 (0.66mm)
Merkmale-

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