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IWC0402AR12R-3G

IWC0402AR12R-3G

Laird

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 120NH 110MA 2.66 OHM

Technische Daten

Induktivität
120 nH
Nennstrom
110 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.66Ohm Max
Abmessungen
0.047 L x 0.028 W (1.19mm x 0.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IWC0402AR12R-3G.

Induktivität
120 nH

IWC0402AR12R-3G hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
110 mA

IWC0402AR12R-3G ist für 110 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.66Ohm Max

IWC0402AR12R-3G hat einen DC-Widerstand von 2.66Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

IWC0402AR12R-3G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität120 nH
Toleranz±2%
Nennstrom110 mA
DC-Widerstand (DCR)2.66Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.047 L x 0.028 W (1.19mm x 0.70mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 120NH 110MA 2.66 OHM
SerieIWC0402
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz1GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse402
Höhe - sitzend (max.)0.026 (0.66mm)
Merkmale-

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