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IWC0805D82NR-3G

IWC0805D82NR-3G

Laird

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 82NH 400MA 420 MOHM

Technische Daten

Induktivität
82 nH
Nennstrom
400 mA
DC-Widerstand (DCR)
420mOhm Max
Abmessungen
0.093 L x 0.068 W (2.35mm x 1.73mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IWC0805D82NR-3G.

Induktivität
82 nH

IWC0805D82NR-3G hat eine Induktivität von 82 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
400 mA

IWC0805D82NR-3G ist für 400 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
420mOhm Max

IWC0805D82NR-3G hat einen DC-Widerstand von 420mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

IWC0805D82NR-3G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität82 nH
Toleranz±2%
Nennstrom400 mA
DC-Widerstand (DCR)420mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.093 L x 0.068 W (2.35mm x 1.73mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 82NH 400MA 420 MOHM
SerieIWC0805
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz65 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz1.3GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz150 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.060 (1.52mm)
Merkmale-

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