Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IWC1008DR33R-3G von Laird. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330 nH, Nennstrom 450 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.05Ohm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IWC1008DR33R-3G.
IWC1008DR33R-3G hat eine Induktivität von 330 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
IWC1008DR33R-3G ist für 450 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
IWC1008DR33R-3G hat einen DC-Widerstand von 1.05Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
IWC1008DR33R-3G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 330 nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 450 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.05Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.115 L x 0.106 W (2.92mm x 2.70mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | Laird |
| Beschreibung | FIXED IND 330NH 450MA 1.05 OHM |
| Serie | IWC1008 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 45 @ 100MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 570MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.088 (2.23mm) |
