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IWC1008ER22R-3G

IWC1008ER22R-3G

Laird

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IWC1008ER22R-3G von Laird. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 220 nH, Nennstrom 500 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 840mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
220 nH
Nennstrom
500 mA
DC-Widerstand (DCR)
840mOhm Max
Abmessungen
0.115 L x 0.106 W (2.92mm x 2.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IWC1008ER22R-3G.

Induktivität
220 nH

IWC1008ER22R-3G hat eine Induktivität von 220 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
500 mA

IWC1008ER22R-3G ist für 500 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
840mOhm Max

IWC1008ER22R-3G hat einen DC-Widerstand von 840mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

IWC1008ER22R-3G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität220 nH
Toleranz±2%
Nennstrom500 mA
DC-Widerstand (DCR)840mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.115 L x 0.106 W (2.92mm x 2.70mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 220NH 500MA 840 MOHM
SerieIWC1008
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz45 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz700MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.088 (2.23mm)

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