Beschreibung
FIXED IND 100NH 650MA 560 MOHM
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IWC1008FR10R-3G.
IWC1008FR10R-3G hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
IWC1008FR10R-3G ist für 650 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
IWC1008FR10R-3G hat einen DC-Widerstand von 560mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
IWC1008FR10R-3G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 100 nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 650 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 560mOhm Max |
| Sättigungsstrom | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.115 L x 0.106 W (2.92mm x 2.70mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | Laird |
| Beschreibung | FIXED IND 100NH 650MA 560 MOHM |
| Serie | IWC1008 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 60 @ 350MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1GHz |
| Zulassungen / Bewertungen | - |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.088 (2.23mm) |
| Merkmale | - |
