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IWC1008J27NR-3G

IWC1008J27NR-3G

Laird

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 27NH 1A 130 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
27 nH
Nennstrom
1 A
DC-Widerstand (DCR)
130mOhm Max
Abmessungen
0.115 L x 0.106 W (2.92mm x 2.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IWC1008J27NR-3G.

Induktivität
27 nH

IWC1008J27NR-3G hat eine Induktivität von 27 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1 A

IWC1008J27NR-3G ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
130mOhm Max

IWC1008J27NR-3G hat einen DC-Widerstand von 130mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

IWC1008J27NR-3G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität27 nH
Toleranz±2%
Nennstrom1 A
DC-Widerstand (DCR)130mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.115 L x 0.106 W (2.92mm x 2.70mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 27NH 1A 130 MOHM SMD
SerieIWC1008
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz55 @ 350MHz
Eigenresonanzfrequenz1.6GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz50 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.088 (2.23mm)
Merkmale-

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