Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil L0201C82NJRMST von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 nH, Nennstrom 50 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.5Ohm Max, Gehäusegröße 0201 (0603 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L0201C82NJRMST.
L0201C82NJRMST hat eine Induktivität von 82 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
L0201C82NJRMST ist für 50 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
L0201C82NJRMST hat einen DC-Widerstand von 3.5Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
L0201C82NJRMST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 50 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 3.5Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
| Gehäuse / Größe | 0201 (0603 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0201 (0603 Metric) |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 82NH 50MA 3.5 OHM SMD |
| Serie | L-RMS |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 4 @ 100MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1GHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0201 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.013" (0.33mm) |
