Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil L0402C2N2SRMQT von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 nH, Nennstrom 660 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mOhm, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L0402C2N2SRMQT.
L0402C2N2SRMQT hat eine Induktivität von 2.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
L0402C2N2SRMQT ist für 660 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
L0402C2N2SRMQT hat einen DC-Widerstand von 80mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
L0402C2N2SRMQT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 nH |
| Toleranz | ±0.3nH |
| Nennstrom | 660 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 80mOhm |
| Abmessungen | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 0402 (1005 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 (1005 Metric) |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2NH 660MA 80 MOHM |
| Serie | L-RMQ |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 67 @ 800MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 6GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0402 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.022" (0.55mm) |
