Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil L0402C3N0SRMQT von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3 nH, Nennstrom 570 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 110mOhm, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L0402C3N0SRMQT.
L0402C3N0SRMQT hat eine Induktivität von 3 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
L0402C3N0SRMQT ist für 570 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
L0402C3N0SRMQT hat einen DC-Widerstand von 110mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
L0402C3N0SRMQT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3 nH |
| Toleranz | ±0.3nH |
| Nennstrom | 570 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 110mOhm |
| Abmessungen | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 0402 (1005 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 (1005 Metric) |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 3NH 570MA 110 MOHM SMD |
| Serie | L-RMQ |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 51 @ 800MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 6GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0402 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.022" (0.55mm) |
