Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil L0402C3N3SRMQT von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 nH, Nennstrom 540 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 120mOhm, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L0402C3N3SRMQT.
L0402C3N3SRMQT hat eine Induktivität von 3.3 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
L0402C3N3SRMQT ist für 540 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
L0402C3N3SRMQT hat einen DC-Widerstand von 120mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
L0402C3N3SRMQT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 nH |
| Toleranz | ±0.3nH |
| Nennstrom | 540 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 120mOhm |
| Abmessungen | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 0402 (1005 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 (1005 Metric) |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3NH 540MA 120 MOHM |
| Serie | L-RMQ |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 54 @ 800MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 5GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0402 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.022" (0.55mm) |
