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L0805C100MDWLT

L0805C100MDWLT

KEMET

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 205MA 1 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
205 mA
DC-Widerstand (DCR)
1Ohm
Abmessungen
0.083" L x 0.059" W (2.11mm x 1.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L0805C100MDWLT.

Induktivität
10 µH

L0805C100MDWLT hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
205 mA

L0805C100MDWLT ist für 205 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1Ohm

L0805C100MDWLT hat einen DC-Widerstand von 1Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

L0805C100MDWLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom205 mA
DC-Widerstand (DCR)1Ohm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.083" L x 0.059" W (2.11mm x 1.50mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantKEMET
BeschreibungFIXED IND 10UH 205MA 1 OHM SMD
SerieL-DWL
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz32MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.041" (1.04mm)
Merkmale-

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