Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil L0805C1R8KSMST von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.8 µH, Nennstrom 50 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 600mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L0805C1R8KSMST.
L0805C1R8KSMST hat eine Induktivität von 1.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
L0805C1R8KSMST ist für 50 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
L0805C1R8KSMST hat einen DC-Widerstand von 600mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
L0805C1R8KSMST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.8 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 50 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 600mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 1.8UH 50MA 600 MOHM |
| Serie | L-SMS |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 45 @ 10MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 55MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 (2125 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.041" (1.05mm) |
