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L0806B120JSWST

L0806B120JSWST

KEMET

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 12UH 200MA 1.4 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
12 µH
Nennstrom
200 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.4Ohm
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L0806B120JSWST.

Induktivität
12 µH

L0806B120JSWST hat eine Induktivität von 12 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
200 mA

L0806B120JSWST ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.4Ohm

L0806B120JSWST hat einen DC-Widerstand von 1.4Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

L0806B120JSWST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität12 µH
Toleranz±5%
Nennstrom200 mA
DC-Widerstand (DCR)1.4Ohm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantKEMET
BeschreibungFIXED IND 12UH 200MA 1.4 OHM SMD
SerieL-SWS
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz23MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806 (2016 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.071" (1.80mm)
Merkmale-

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