Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil L1210R150MDWIT von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 15 µH, Nennstrom 850 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 195mOhm, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L1210R150MDWIT.
L1210R150MDWIT hat eine Induktivität von 15 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
L1210R150MDWIT ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
L1210R150MDWIT hat einen DC-Widerstand von 195mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
L1210R150MDWIT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 15 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 850 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 195mOhm |
| Sättigungsstrom | 730mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 15UH 850MA 195 MOHM |
| Serie | L-DWI |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 20MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.106" (2.70mm) |
