
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil L1210R680MDWIT von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 68 µH, Nennstrom 410 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1Ohm, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L1210R680MDWIT.
L1210R680MDWIT hat eine Induktivität von 68 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
L1210R680MDWIT ist für 410 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
L1210R680MDWIT hat einen DC-Widerstand von 1Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
L1210R680MDWIT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 68 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 410 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1Ohm |
| Sättigungsstrom | 320mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 68UH 410MA 1 OHM SMD |
| Serie | L-DWI |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 8MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.106" (2.70mm) |

