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L1210R6R8MDWIT

L1210R6R8MDWIT

KEMET

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil L1210R6R8MDWIT von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 940 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 120mOhm, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
940 mA
DC-Widerstand (DCR)
120mOhm
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L1210R6R8MDWIT.

Induktivität
6.8 µH

L1210R6R8MDWIT hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
940 mA

L1210R6R8MDWIT ist für 940 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
120mOhm

L1210R6R8MDWIT hat einen DC-Widerstand von 120mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

L1210R6R8MDWIT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom940 mA
DC-Widerstand (DCR)120mOhm
Sättigungsstrom930mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantKEMET
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 940MA 120 MOHM
SerieL-DWI
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Eigenresonanzfrequenz50MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.106" (2.70mm)

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