Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LAL04NA2R2M von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 750 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 280mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LAL04NA2R2M.
LAL04NA2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LAL04NA2R2M ist für 750 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LAL04NA2R2M hat einen DC-Widerstand von 280mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LAL04NA2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 750 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 280mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.157" Dia x 0.386" L (4.00mm x 9.80mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 750MA 280 MOHM |
| Serie | LA, L Type |
| Produktstatus | Obsolete |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 55 @ 7.96MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 110MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Through Hole |
