Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LAL04NAR82M von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 980 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 170mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LAL04NAR82M.
LAL04NAR82M hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LAL04NAR82M ist für 980 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LAL04NAR82M hat einen DC-Widerstand von 170mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LAL04NAR82M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 980 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 170mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.157" Dia x 0.386" L (4.00mm x 9.80mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 820NH 980MA 170 MOHM |
| Serie | LA, L Type |
| Produktstatus | Obsolete |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 45 @ 25.2MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 172MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25.2 MHz |
| Montageart | Through Hole |
