Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LAV35VB470K von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 47 µH, Nennstrom 200 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.2Ohm Max, Gehäusegröße Radial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LAV35VB470K.
LAV35VB470K hat eine Induktivität von 47 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LAV35VB470K ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LAV35VB470K hat einen DC-Widerstand von 2.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LAV35VB470K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 47 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 200 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.2Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.236" Dia (6.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial |
| Gehäuse / Ausführung | Radial |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 47UH 200MA 2.2 OHM TH |
| Serie | LA, V Type |
| Produktstatus | Obsolete |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 50 @ 2.52MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 9.5MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.52 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.315" (8.00mm) |
