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LAXHG5050XAT2R2NMR

Taiyo Yuden

2020 (5050 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 3A 29 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
3 A
DC-Widerstand (DCR)
29mOhm Max
Abmessungen
0.197" L x 0.197" W (5.00mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LAXHG5050XAT2R2NMR.

Induktivität
2.2 µH

LAXHG5050XAT2R2NMR hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3 A

LAXHG5050XAT2R2NMR ist für 3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
29mOhm Max

LAXHG5050XAT2R2NMR hat einen DC-Widerstand von 29mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2020 (5050 Metric)

LAXHG5050XAT2R2NMR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2020 (5050 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±30%
Nennstrom3 A
DC-Widerstand (DCR)29mOhm Max
Sättigungsstrom5.1A
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
Abmessungen0.197" L x 0.197" W (5.00mm x 5.00mm)
Gehäuse / Größe2020 (5050 Metric)
Gehäuse / Ausführung2020 (5050 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 3A 29 MOHM SMD
SerieLAXH
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz45MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2020
Höhe - sitzend (max.)0.122" (3.10mm)
Merkmale-

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