Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LB3218T2R2M von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 775 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 90mOhm, Gehäusegröße 1207 (3218 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LB3218T2R2M.
LB3218T2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LB3218T2R2M ist für 775 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LB3218T2R2M hat einen DC-Widerstand von 90mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LB3218T2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1207 (3218 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 775 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 90mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.071" W (3.20mm x 1.80mm) |
| Gehäuse / Größe | 1207 (3218 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1207 (3218 Metric) |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 775MA 90 MOHM |
| Serie | LB |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Semi-Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 68MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1207 (3218 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.079" (2.00mm) |
