
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LB3218T3R3M von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 560 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 110mOhm, Gehäusegröße 1207 (3218 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LB3218T3R3M.
LB3218T3R3M hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LB3218T3R3M ist für 560 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LB3218T3R3M hat einen DC-Widerstand von 110mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LB3218T3R3M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1207 (3218 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 560 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 110mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.071" W (3.20mm x 1.80mm) |
| Gehäuse / Größe | 1207 (3218 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1207 (3218 Metric) |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 560MA 110 MOHM |
| Serie | LB |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Semi-Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 54MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1207 (3218 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.079" (2.00mm) |

