LB3218T3R3MV
Taiyo Yuden
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LB3218T3R3MV von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 560 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 143mOhm Max, Gehäusegröße 1207 (3218 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LB3218T3R3MV.
LB3218T3R3MV hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LB3218T3R3MV ist für 560 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LB3218T3R3MV hat einen DC-Widerstand von 143mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LB3218T3R3MV verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1207 (3218 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 560 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 143mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.071" W (3.20mm x 1.80mm) |
| Gehäuse / Größe | 1207 (3218 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1207 (3218 Metric) |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 560MA 143 MOHM |
| Serie | LB |
| Produktstatus | Not For New Designs |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 54MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1207 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.079" (2.00mm) |
