Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LBM2016T1R2J von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2 µH, Nennstrom 370 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 410mOhm, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LBM2016T1R2J.
LBM2016T1R2J hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LBM2016T1R2J ist für 370 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LBM2016T1R2J hat einen DC-Widerstand von 410mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LBM2016T1R2J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.2 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 370 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 410mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Gehäuse / Größe | 0806 (2016 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0806 (2016 Metric) |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 1.2UH 370MA 410 MOHM |
| Serie | LB |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Semi-Shielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 7.96MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 180MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0806 (2016 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
