Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LBM2016T2R2J von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2uH, Nennstrom 340mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 702mΩ, Gehäusegröße 0806. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LBM2016T2R2J.
LBM2016T2R2J hat eine Induktivität von 2.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LBM2016T2R2J ist für 340mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LBM2016T2R2J hat einen DC-Widerstand von 702mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LBM2016T2R2J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2uH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 340mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 702mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0806 |
| Gehäuse / Ausführung | 0806 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 2.2uH, ±5%, Rated current: 340mA, Case: 0806 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |