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LBM2016T3R9JV

LBM2016T3R9JV

Taiyo Yuden

0806 (2016 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LBM2016T3R9JV von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.9 µH, Nennstrom 275 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 962mOhm Max, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.9 µH
Nennstrom
275 mA
DC-Widerstand (DCR)
962mOhm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LBM2016T3R9JV.

Induktivität
3.9 µH

LBM2016T3R9JV hat eine Induktivität von 3.9 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
275 mA

LBM2016T3R9JV ist für 275 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
962mOhm Max

LBM2016T3R9JV hat einen DC-Widerstand von 962mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

LBM2016T3R9JV verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität3.9 µH
Toleranz±5%
Nennstrom275 mA
DC-Widerstand (DCR)962mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 3.9UH 275MA 962 MOHM
SerieLB, M Type
ProduktstatusNot For New Designs
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz43MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806 (2016 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.071" (1.80mm)

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