LBXND5050WEL1R0NMG

Taiyo Yuden

Nonstandard

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LBXND5050WEL1R0NMG von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 4.4 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 16mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
4.4 A
DC-Widerstand (DCR)
16mOhm
Abmessungen
0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LBXND5050WEL1R0NMG.

Induktivität
1 µH

LBXND5050WEL1R0NMG hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.4 A

LBXND5050WEL1R0NMG ist für 4.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
16mOhm

LBXND5050WEL1R0NMG hat einen DC-Widerstand von 16mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

LBXND5050WEL1R0NMG verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±30%
Nennstrom4.4 A
DC-Widerstand (DCR)16mOhm
Sättigungsstrom5.8A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 1UH 4.4A 16 MOHM SMD
SerieLBXN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Eigenresonanzfrequenz85MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.098" (2.50mm)