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LBXND5050XKT220MMG

Taiyo Yuden

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 22UH 1.05A 180 MOHM

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
1.05 A
DC-Widerstand (DCR)
180mOhm
Abmessungen
0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LBXND5050XKT220MMG.

Induktivität
22 µH

LBXND5050XKT220MMG hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.05 A

LBXND5050XKT220MMG ist für 1.05 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
180mOhm

LBXND5050XKT220MMG hat einen DC-Widerstand von 180mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

LBXND5050XKT220MMG verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.05 A
DC-Widerstand (DCR)180mOhm
Sättigungsstrom1.4A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 22UH 1.05A 180 MOHM
SerieLBXN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz13MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.118" (3.00mm)
Merkmale-

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