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LCXND5050KKT3R3MMG

LCXND5050KKT3R3MMG

Taiyo Yuden

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 1.25A 125 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
1.25 A
DC-Widerstand (DCR)
125mOhm
Abmessungen
0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LCXND5050KKT3R3MMG.

Induktivität
3.3 µH

LCXND5050KKT3R3MMG hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.25 A

LCXND5050KKT3R3MMG ist für 1.25 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
125mOhm

LCXND5050KKT3R3MMG hat einen DC-Widerstand von 125mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

LCXND5050KKT3R3MMG verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.25 A
DC-Widerstand (DCR)125mOhm
Sättigungsstrom1.4A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 1.25A 125 MOHM
SerieLCXN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz42MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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