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LCXND5050MKT1R0NMG

LCXND5050MKT1R0NMG

Taiyo Yuden

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 2.3A 53 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
2.3 A
DC-Widerstand (DCR)
53mOhm
Abmessungen
0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LCXND5050MKT1R0NMG.

Induktivität
1 µH

LCXND5050MKT1R0NMG hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.3 A

LCXND5050MKT1R0NMG ist für 2.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
53mOhm

LCXND5050MKT1R0NMG hat einen DC-Widerstand von 53mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

LCXND5050MKT1R0NMG verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±30%
Nennstrom2.3 A
DC-Widerstand (DCR)53mOhm
Sättigungsstrom4.5A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 1UH 2.3A 53 MOHM SMD
SerieLCXN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz100MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)
Merkmale-

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