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LCXND5050MKT3R3MMG

LCXND5050MKT3R3MMG

Taiyo Yuden

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 1.45A 160 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
1.45 A
DC-Widerstand (DCR)
160mOhm
Abmessungen
0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LCXND5050MKT3R3MMG.

Induktivität
3.3 µH

LCXND5050MKT3R3MMG hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.45 A

LCXND5050MKT3R3MMG ist für 1.45 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
160mOhm

LCXND5050MKT3R3MMG hat einen DC-Widerstand von 160mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

LCXND5050MKT3R3MMG verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.45 A
DC-Widerstand (DCR)160mOhm
Sättigungsstrom2.4A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 1.45A 160 MOHM
SerieLCXN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz48MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)
Merkmale-

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