Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LEM2520T3R3J von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 185 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.9Ohm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LEM2520T3R3J.
LEM2520T3R3J hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LEM2520T3R3J ist für 185 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LEM2520T3R3J hat einen DC-Widerstand von 1.9Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LEM2520T3R3J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 185 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.9Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 185MA 1.9 OHM |
| Serie | LE, M Type |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 7.96MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 48MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 (2520 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.079" (2.00mm) |
