LEM2520T82NJ
Taiyo Yuden
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LEM2520T82NJ von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 nH, Nennstrom 300 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 750mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LEM2520T82NJ.
LEM2520T82NJ hat eine Induktivität von 82 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LEM2520T82NJ ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LEM2520T82NJ hat einen DC-Widerstand von 750mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LEM2520T82NJ verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 300 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 750mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 82NH 300MA 750 MOHM |
| Serie | LE, M Type |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 20 @ 100MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.3GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 (2520 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.079" (2.00mm) |
