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LL1005-FH8N2K=P3

muRata

0402
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LL1005-FH8N2K=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2nH, Nennstrom 300mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 390mΩ, Gehäusegröße 0402. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
8.2nH
Nennstrom
300mA
DC-Widerstand (DCR)
390mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LL1005-FH8N2K=P3.

Induktivität
8.2nH

LL1005-FH8N2K=P3 hat eine Induktivität von 8.2nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300mA

LL1005-FH8N2K=P3 ist für 300mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
390mΩ

LL1005-FH8N2K=P3 hat einen DC-Widerstand von 390mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402

LL1005-FH8N2K=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität8.2nH
Toleranz±10%
Nennstrom300mA
DC-Widerstand (DCR)390mΩ
Gehäuse / Größe0402
Gehäuse / Ausführung0402
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 8.2nH, ±10%, Rated current: 300mA, Case: 0402
Typ / AufbauChip Inductor

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