Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LL1005-FH8N2K=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2nH, Nennstrom 300mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 390mΩ, Gehäusegröße 0402. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LL1005-FH8N2K=P3.
LL1005-FH8N2K=P3 hat eine Induktivität von 8.2nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LL1005-FH8N2K=P3 ist für 300mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LL1005-FH8N2K=P3 hat einen DC-Widerstand von 390mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LL1005-FH8N2K=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 300mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 390mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0402 |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 8.2nH, ±10%, Rated current: 300mA, Case: 0402 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
