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LL1608-F33NK

muRata

0603
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LL1608-F33NK von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33nH, Nennstrom 300mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 650mΩ, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
33nH
Nennstrom
300mA
DC-Widerstand (DCR)
650mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LL1608-F33NK.

Induktivität
33nH

LL1608-F33NK hat eine Induktivität von 33nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300mA

LL1608-F33NK ist für 300mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
650mΩ

LL1608-F33NK hat einen DC-Widerstand von 650mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603

LL1608-F33NK verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität33nH
Toleranz±10%
Nennstrom300mA
DC-Widerstand (DCR)650mΩ
Gehäuse / Größe0603
Gehäuse / Ausführung0603
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 33nH, ±10%, Rated current: 300mA, Case: 0603
Typ / AufbauChip Inductor

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