
LLCNB2012HKTR33ME
Taiyo Yuden
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LLCNB2012HKTR33ME von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330 nH, Nennstrom 4.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 25mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LLCNB2012HKTR33ME.
LLCNB2012HKTR33ME hat eine Induktivität von 330 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LLCNB2012HKTR33ME ist für 4.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LLCNB2012HKTR33ME hat einen DC-Widerstand von 25mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LLCNB2012HKTR33ME verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 330 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 4.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 25mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 5.4A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 330NH 4.1A 25 MOHM SMD |
| Serie | LLCN |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.031" (0.80mm) |



