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LLCND1006HKT2R2MF

LLCND1006HKT2R2MF

Taiyo Yuden

0402 (1005 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LLCND1006HKT2R2MF von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 600 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 375mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
600 mA
DC-Widerstand (DCR)
375mOhm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LLCND1006HKT2R2MF.

Induktivität
2.2 µH

LLCND1006HKT2R2MF hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
600 mA

LLCND1006HKT2R2MF ist für 600 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
375mOhm Max

LLCND1006HKT2R2MF hat einen DC-Widerstand von 375mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

LLCND1006HKT2R2MF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom600 mA
DC-Widerstand (DCR)375mOhm Max
Sättigungsstrom800mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 600MA 375 MOHM
SerieLLCN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.031" (0.80mm)

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