LLDND5050PKT1R0MM
Taiyo Yuden
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LLDND5050PKT1R0MM von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 4.3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 40mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LLDND5050PKT1R0MM.
LLDND5050PKT1R0MM hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LLDND5050PKT1R0MM ist für 4.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LLDND5050PKT1R0MM hat einen DC-Widerstand von 40mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LLDND5050PKT1R0MM verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 4.3 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 40mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 8.5A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 4.3A 40 MOHM SMD |
| Serie | LLDN |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.055" (1.40mm) |
