LLDND5050PKT3R3MM
Taiyo Yuden
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LLDND5050PKT3R3MM von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 2.9 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 86mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LLDND5050PKT3R3MM.
LLDND5050PKT3R3MM hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LLDND5050PKT3R3MM ist für 2.9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LLDND5050PKT3R3MM hat einen DC-Widerstand von 86mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LLDND5050PKT3R3MM verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.9 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 86mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 3.8A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 2.9A 86 MOHM SMD |
| Serie | LLDN |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.055" (1.40mm) |
