LLQBA251818T1R0M
Taiyo Yuden
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LLQBA251818T1R0M von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 665 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 60mOhm, Gehäusegröße 1007 (2518 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LLQBA251818T1R0M.
LLQBA251818T1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LLQBA251818T1R0M ist für 665 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LLQBA251818T1R0M hat einen DC-Widerstand von 60mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LLQBA251818T1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1007 (2518 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 665 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 60mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.098" L x 0.071" W (2.50mm x 1.80mm) |
| Gehäuse / Größe | 1007 (2518 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1007 (2518 Metric) |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 665MA 60 MOHM SMD |
| Serie | LLQB |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Semi-Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 100MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1007 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.079" (2.00mm) |
