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LLQBA321818T330M

LLQBA321818T330M

Taiyo Yuden

1207 (3218 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 33UH 215MA 750 MOHM

Technische Daten

Induktivität
33 µH
Nennstrom
215 mA
DC-Widerstand (DCR)
750mOhm
Abmessungen
0.126" L x 0.071" W (3.20mm x 1.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LLQBA321818T330M.

Induktivität
33 µH

LLQBA321818T330M hat eine Induktivität von 33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
215 mA

LLQBA321818T330M ist für 215 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
750mOhm

LLQBA321818T330M hat einen DC-Widerstand von 750mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1207 (3218 Metric)

LLQBA321818T330M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1207 (3218 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität33 µH
Toleranz±20%
Nennstrom215 mA
DC-Widerstand (DCR)750mOhm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.126" L x 0.071" W (3.20mm x 1.80mm)
Gehäuse / Größe1207 (3218 Metric)
Gehäuse / Ausführung1207 (3218 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 33UH 215MA 750 MOHM
SerieLLQB
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz15MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1207
Höhe - sitzend (max.)0.079" (2.00mm)
Merkmale-

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