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LLQBA321818T3R3M

LLQBA321818T3R3M

Taiyo Yuden

1207 (3218 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 560MA 110 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
560 mA
DC-Widerstand (DCR)
110mOhm
Abmessungen
0.126" L x 0.071" W (3.20mm x 1.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LLQBA321818T3R3M.

Induktivität
3.3 µH

LLQBA321818T3R3M hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
560 mA

LLQBA321818T3R3M ist für 560 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
110mOhm

LLQBA321818T3R3M hat einen DC-Widerstand von 110mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1207 (3218 Metric)

LLQBA321818T3R3M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1207 (3218 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom560 mA
DC-Widerstand (DCR)110mOhm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.126" L x 0.071" W (3.20mm x 1.80mm)
Gehäuse / Größe1207 (3218 Metric)
Gehäuse / Ausführung1207 (3218 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 560MA 110 MOHM
SerieLLQB
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz54MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1207
Höhe - sitzend (max.)0.079" (2.00mm)
Merkmale-

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