LLQMB201616T100J
Taiyo Yuden
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LLQMB201616T100J von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 215 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.2Ohm, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LLQMB201616T100J.
LLQMB201616T100J hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LLQMB201616T100J ist für 215 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LLQMB201616T100J hat einen DC-Widerstand von 1.2Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LLQMB201616T100J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 215 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.2Ohm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Gehäuse / Größe | 0806 (2016 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0806 (2016 Metric) |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 10UH 215MA 1.2 OHM SMD |
| Serie | LLQM |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Semi-Shielded |
| Q bei Frequenz | 25 @ 2.52MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 27MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.52 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0806 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
