Meine Favoriten
LLQNA201209T4R7M

LLQNA201209T4R7M

Taiyo Yuden

0805 (2012 Metric)

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LLQNA201209T4R7M von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 490 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 660mOhm, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
490 mA
DC-Widerstand (DCR)
660mOhm
Abmessungen
0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LLQNA201209T4R7M.

Induktivität
4.7 µH

LLQNA201209T4R7M hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
490 mA

LLQNA201209T4R7M ist für 490 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
660mOhm

LLQNA201209T4R7M hat einen DC-Widerstand von 660mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

LLQNA201209T4R7M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von LLQNA201209T4R7M weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom490 mA
DC-Widerstand (DCR)660mOhm
Sättigungsstrom275mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 490MA 660 MOHM
SerieLLQN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Eigenresonanzfrequenz45MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)